К сожалению, этот товар недоступен. Просмотри товары от других продавцов
Характеристики и описание
- Производитель
|
Производитель |
TOSHIBA |
| Корпус | TO-3PN |
| Структура | IGBT + Diode |
| Схема соединения | Одиночный |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер | 600 V |
| Напряжение затвор - эмиттер | ±25 V |
| Макс. ток коллектора (25°C) | 50 А |
| Макс. ток коллектора (100°C) | 44 А |
| Макс. постоянный ток диода (25°С) | 40 А |
IGBT+Diode 600V 50A
Транзистор GT50JR22
Код: 03340481.90 ₴
Похожее у других продавцов
